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0.5℃精度、16bitADC、超低功耗、I2C接口数字温度传感芯片M117B

1.概述


M117B是敏源传感数字模拟混合信号温度传感芯片,最高测温精度±0.5℃,用户无需进行校准。


温度芯片感温原理基于CMOS半导体PN节温度与带隙电压的特性关系,经过小信号放大、模数转换、数字校准补偿后,数字总线输出,具有精度高、一致性好、测温快、功耗低、可编程配置灵活、寿命长等优点。


温度芯片内置16-bit ADC,分辨率0.004°C,具有-70°C到+150°的超宽工作范围。芯片在出厂前经过100%的测试校准,根据温度误差特性进行校准系数的拟合,芯片内部自动进行补偿计算。芯片支持数字I2C通信接口、测温数据内存访问、功能配置等均可通过数字协议指令实现。I2C接口适合高速率的板级应用场景,最高接口速度可达400kHz。


芯片内置非易失性EEPROM存储单元,用于保存芯片ID号、高低温报警阈值、温度校准修正值以及用户自定义信息,如传感器节点编号、位置信息等。芯片另有ALERT报警指示引脚,便于用户扩展硬件报警应用。


2.特性

 

  • 最高测温精度:±0.5℃
  • 测温范围:-70°C ~ +150°C
  • 低功耗:典型待机电流0.1µA@3.3V,测温峰值电流0.45mA@3.3V,测温平均电流5.2μA(@3.3V,1s周期)
  • 宽工作电压范围:1.8V-5.5V
  • 感温分辨率:16位输出,最高分辨率0.004°C
  • 温度转换时间可配置:10.5ms/5.5ms/4ms
  • 可配制单次/周期测量
  • 用户可设置温度报警
  • 32 bit额外EEPROM空间用于存放用户信息
  • 标准I2C接口


3.应用

 

  • 板级温度监控
  • 工农业环境温度
  • 智能家电
  • 智能家居
  • 消费电子
  • 冷链运输、仓储
  • 测温仪器仪表

 

产品信息

型号

0.5℃精度区间

封装 尺寸
M117B

0℃ to +50℃

DFN6L

2*2*0.75mm

备注:其他温度区间精度特性详见“测温性能指标”。

 

4.封装管脚描述及实物图

                   

                                                             正面透视图

 

管脚编号 管脚名称 I/O 说明
1 SCL 输入/输出 I2C时钟线
2 GND
3 ALERT 输出 报警指示
4 NC 悬空
5 VDD 电源
6 SDA 输入/输出 I2C数据线
导入焊盘 NC 悬空或接地

备注 1:电路设计时,导热焊盘悬空或接地。 1)若贴在 PCB 上,推荐导热焊盘接地;2)若导热焊盘贴金属片用于接触式体温检测,则推荐不接地。

 

5.结构框图

 

 

温度传感器的原理框图见上图。暂存器包含了两个字节的温度寄存器,存储来自于传感器的数字输出。另外,暂存器和扩展暂存器提供了报警触发阈值寄存器。配置寄存器允许用户设定温度转换重复性和连续测量频率。状态寄存器可以查询报警状态。数据可存入非易失性单元,芯片掉电时数据不会丢失。

 

6.典型应用电路

 

备注:M117B I2C地址固定为0x45。

 

7.测温性能指标

 

参数

符号

条件

最小

典型

最大

测温范围

-70℃

+150℃

温度误差

tERR

0 to +50

±0.5℃

 

-55°C to +125°

±1.5

-70°C to +150°C

±2

重复性

低重复性设置

0.07℃

中重复性设置

0.05℃

高重复性设置

0.03℃

分辨率

0.004℃

响应时间

τ63

2s

长期漂移

0.03°C/年

备注:重复性设置中,通过配置不同滤波带宽,实现不同输出精度。

图7-1 M117B精度误差曲线

 

8.电气规格


8.1 绝对最大额定值


以下为极限参数,对于器件在此极限条件或高于此极限条件的环境中的功能运行,本规格书并不适用。请注意长期暴露于此极限环境会影响器件的可靠性。

 

参数

额定值

单位

供电电压VDD

-0.3 to 6

V

引脚上的最大电压

-0.3 to 6

V

引脚上的输入电流

±100

mA

运行温度范围

-70 to 150

存储温度范围

-70 to 150

焊接温度

参考 IPC/JEDEC J-STD-020 规范

ESD HBM (人体放电模式)

±8

kV

 

8.2 电气特性

 

参数

符号

条件

最小

典型

最大

单位

备注

电源

供电电压

VDD

 

1.8

3.3

5.5

V

 

电源压摆率变化

VDD

slew

20

V

/ms

VDD线上DDmin和VDDmax之间的电压变化应该比最大压摆率慢更快的压摆率可能导致复位。

供电电流

IDD

待机

0.1

1

uA

传感器在单次测量模式下不进行测量时的电流

周期测量模式

55

uA

传感器在周期测量模式下不进入睡眠

测量峰值

447

uA

 

平均

5.2

uA

单次模式,高重复性,1次测量/s

数字输入/输出

输入逻辑低

VIL

SCL, SDA

0.3*VDD

V

 

输入逻辑高

VIH

SCL, SDA

0.7*VDD

V

 

输出低电平电压

VOL

IOL = -3 mA

0.4

V

 

输入漏电流

IIN

-0.1

0.1

uA

 

报警输出驱动强度

IOH

1.5* VDD

mA

 

上拉电阻

Rup

 

1

10

100

 

 

8.3 交流电气特性-非易失性存储器


-55℃到+125℃;VDD=1.8V到5.5V

参数 符号 条件 最低 典型 最大 单位
非易失存储写周期 tWR 40 ms
E2PROM写次数 NEEWR -55°C到+55°C 50000
E2PROM数据保留 tEEDR -55°C到+55°C 10

 

9. 封装图DFN6L(2Χ2Χ0.75mm)